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資訊頻道三菱電機開(kāi)發(fā)給汽車(chē)使用的J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相，吸引眾多參觀(guān)者的目光，紛紛了解這個(gè)高性能、超可靠、低損耗的汽車(chē)用功率半導體模塊。
受到近幾年環(huán)保意識提高的影響，混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)等市場(chǎng)不斷擴大。由于對汽車(chē)有著(zhù)很高的安全性要求，因而對用于汽車(chē)馬達驅動(dòng)的功率半導體模塊，也要求其具有超出普通工業(yè)用途的可靠性。
三菱電機引領(lǐng)業(yè)界之先，于2004年采用以硬質(zhì)樹(shù)脂封裝功率半導體硅片的壓注模封裝技術(shù)，生產(chǎn)出可靠性高且無(wú)鉛化的汽車(chē)用功率半導體模塊。 這次，三菱電機又推出新的汽車(chē)用功率半導體模塊J系列EV-IPM和J系列EV T-PM。
J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù)，模塊內硅片上集成電流和溫度傳感器，雜散電感低。模塊采用自1997年以來(lái)已成功量產(chǎn)的先進(jìn)制造工藝，實(shí)施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級可追溯性管理，滿(mǎn)足ELV車(chē)輛報廢指令。目前開(kāi)發(fā)的J系列EV-IPM產(chǎn)品的電流電壓等級分別有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。
圖片說(shuō)明：J系列EV-IPM 小型封裝和大型封裝
J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù)，模塊內硅片上集成電流和溫度傳感器。模塊內部構造不同于以往用鋁電線(xiàn)連接功率半導體硅片和主端子，而是采用DLB構造，成功將主端子延長(cháng)，使之直接與功率半導體硅片焊接。利用DLB構造提高了模塊的可靠性。
此外，模塊采用2合1壓注膜封裝技術(shù)，使得模塊內的配線(xiàn)電阻和電感得到減小，從而降低了模塊的損耗。模塊實(shí)施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級可追溯性管理。滿(mǎn)足ELV車(chē)輛報廢指令，確保用于汽車(chē)的質(zhì)量與產(chǎn)品壽命。目前開(kāi)發(fā)的J系列EV T-PM產(chǎn)品的電流電壓等級分別有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。詳情瀏覽三菱電機中文網(wǎng)站：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com。
圖片說(shuō)明：J系列EV T-PM
三菱電機機電（上海）有限公司簡(jiǎn)介
三菱電機創(chuàng )立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在最新的《財富》500強排名中，名列第203。
作為一家技術(shù)主導型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領(lǐng)先技術(shù)，并憑強大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據著(zhù)重要的地位。
三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開(kāi)創(chuàng )機電新紀元視為責無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng )造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì )繁榮。
三菱電機半導體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實(shí)現變頻、節能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數字通訊、有線(xiàn)/無(wú)線(xiàn)通訊等應用中提供解決方案。
更多信息，請登陸三菱電機機電（上海）有限公司網(wǎng)站：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱電機半導體全球網(wǎng)站：http://www.mitsubishichips.com/。
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