今日頭條
官方微信
官方抖音
資訊頻道富士通微電子將從2010年4～6月開(kāi)始樣品供貨基于Si底板的GaN類(lèi)功率元件?？紤]2011年中期開(kāi)始量產(chǎn)，2012年上半年轉為全面量產(chǎn)。投資金額為數十億日元。
產(chǎn)品以富士通研究所于2009年6月宣布開(kāi)發(fā)成功(參閱本站報道)的使用GaN類(lèi)半導體的HEMT為基礎。為了在電源電路上使用，當時(shí)采用了不施加柵極電壓漏電流就不會(huì )流出的常閉(NormallyOff)型。雖然采用了SiC底板，但同時(shí)也在推進(jìn)基于Si底板的研發(fā)。富士通微電子沒(méi)有透露2010年4～6月開(kāi)始接受樣品供貨的廠(chǎng)商名稱(chēng)，但其公關(guān)部透露主要“面向服務(wù)器”用途。因此，最初極有可能用于富士通的服務(wù)器。
用于GaN類(lèi)HEMT的Si底板口徑為6英寸(150mm)。該公司表示，將同時(shí)利用位于福島縣會(huì )津若松市支持150mm底板的Si元件用生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行生產(chǎn)。計劃為生產(chǎn)GaN類(lèi)功率元件而新設置GaN類(lèi)半導體結晶生長(cháng)裝置。
目前，利用廉價(jià)Si底板制造GaN類(lèi)功率元件的研發(fā)活動(dòng)十分活躍。比如，古河電氣工業(yè)與富士電機先進(jìn)科技的研究小組、美國國際整流器公司(InternationalRectifier)、NEC與NEC電子的研究小組、松下及三墾電氣等已開(kāi)始著(zhù)手研發(fā)。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號