2021年6月15日—推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出新的、集成的、轉換器-逆變器-功率因數校正 (PFC) 模塊，用于在工業(yè)電機驅動(dòng)、伺服驅動(dòng)和暖通空調 (HVAC) 中驅動(dòng)風(fēng)扇和泵等應用的電機。

新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分別是基于標準氧化鋁 (AI2O3) 基板和增強型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM) 。這些模塊非常適用于具有高輸出功率的強固工業(yè)應用，它們包含一個(gè)轉換器-逆變器-PFC電路，由集成四個(gè)75A、1600V整流器的單相轉換器組成。三相逆變器使用6個(gè)集成反向二極管的50A、600V的IGBT，雙通道交錯式PFC包括兩個(gè)集成反向二極管的75A、650V PFC IGBT，和兩個(gè)50A、650V PFC二極管。壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個(gè)負溫系數 (NTC) 熱敏電阻，以在工作期間監測器件溫度。 

由于該模塊以?xún)?yōu)化的布局和配置進(jìn)行預封裝，與基于PCB的分立設計相比，寄生元素非常小，從而實(shí)現在18kHz和65kHz之間的寬PFC開(kāi)關(guān)頻率范圍。 高能效的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG 額定電流為50A，能在高達8kW的應用中使用，是安森美半導體TMPIM系列的最新器件。其他器件的額定電流為20A和30A。 

緊湊的壓鑄模DIP-26封裝尺寸僅73毫米x47毫米x8毫米--比當前的方案節省20%的面積，實(shí)現了更高的功率密度水平。密封和強固的封裝包括一個(gè)集成散熱片（距引腳6毫米），并提供高水平的耐腐蝕性。 

安森美半導體還提供碳化硅 (SiC) 配置選項以進(jìn)一步提高開(kāi)關(guān)頻率和能效。 

新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以FAN9672 PFC控制器和門(mén)極驅動(dòng)器方案，包括新的NCD5700x系列器件。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器提供5kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3V、5V和15V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0A/灌電流6.0A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60ns。 

以最高能效的方式驅動(dòng)電機是簡(jiǎn)化安裝、降低熱量積聚、提高可靠性以及降低系統成本的關(guān)鍵。 安森美半導體的 TMPIM 器件將輸出引腳標準化，最小化寄生元素，為設計人員提供高性能的“即插即用”方案。 將NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG與FAN9672和NCD57252相結合，提供一個(gè)快速設計路徑，以實(shí)現精密高能效的電機控制方案。 

在A(yíng)PEC 2021期間，安森美半導體將展示用于工業(yè)應用的SiC方案。

關(guān)于安森美半導體 
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動(dòng)高能效電子創(chuàng )新，使世界更綠、更安全、包容及互聯(lián)。公司已轉變?yōu)榭蛻?hù)首選的電源、模擬、傳感器及聯(lián)結方案供應商。公司卓越的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車(chē)、工業(yè)、云電源及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用中最獨特的設計挑戰。 

安森美半導體運營(yíng)反應敏銳、可靠的供應鏈及品質(zhì)項目，及強大的 環(huán)境、社會(huì )、公司管治(ESG)計劃。公司總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，在其主要市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處及設計中心在內的全球業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò )。