2021年2月18日—推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應用。設計人員用新的SiC器件取代現有的硅開(kāi)關(guān)技術(shù)，將在電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器(OBC)、太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器電源(PSU)、電信和不間斷電源(UPS)等應用中實(shí)現顯著(zhù)更好的性能。

安森美半導體新的車(chē)規AECQ101和工業(yè)級合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料，提供比硅更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能和更好的熱性能，因而提高系統級能效、功率密度，及減小電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實(shí)現同類(lèi)最佳的品質(zhì)因數Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝，具有市場(chǎng)最低的Rdson (12 mOhm)。這技術(shù)還優(yōu)化能量損失品質(zhì)因數，從而優(yōu)化了汽車(chē)和工業(yè)應用中的性能。內置門(mén)極電阻 (Rg)為設計人員提供更大的靈活性，而無(wú)需使用外部門(mén)極電阻人為地降低器件的速度。更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強耐用性，從而提供更高的可靠性和更長(cháng)的器件使用壽命。

安森美半導體先進(jìn)電源分部高級副總裁Asif Jakwani在發(fā)布新品時(shí)說(shuō)：“在現代電源應用中，如電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器(OBC)和可再生能源、企業(yè)計算及電信等其他應用，高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開(kāi)關(guān)技術(shù)顯著(zhù)提高性能，使工程師能夠滿(mǎn)足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案?！?/p>

新器件均為表面貼裝，并提供行業(yè)標準封裝類(lèi)型，包括TO247和D2PAK。

關(guān)于安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動(dòng)高能效電子的創(chuàng )新，使客戶(hù)能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領(lǐng)先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時(shí)序、互通互聯(lián)、分立、系統單芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車(chē)、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。公司運營(yíng)敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質(zhì)項目，一套強有力的守法和道德規范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區之關(guān)鍵市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處及設計中心在內的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò )。