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      安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模塊, 助力可再生能源應用簡(jiǎn)化設計并降低成本
      • 點(diǎn)擊數:739     發(fā)布時(shí)間:2024-06-12 17:21:24
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      安森美最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類(lèi)產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù),帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的能效表現,有助于降低系統成本并簡(jiǎn)化設計。應用于 150 千瓦的逆變器中時(shí),QDual3 模塊的損耗比同類(lèi)最接近的競品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。

      在相同的外形尺寸和熱閾值下,QDual3模塊能提供高出10%的功率

       

      2024年6月12日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON), 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類(lèi)產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù),帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的能效表現,有助于降低系統成本并簡(jiǎn)化設計。應用于 150 千瓦的逆變器中時(shí),QDual3 模塊的損耗比同類(lèi)最接近的競品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專(zhuān)為在惡劣條件下工作而設計,非常適合用于大功率變流器,例如太陽(yáng)能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統 (ESS)、商用農業(yè)車(chē)輛(CAV)和工業(yè)電機驅動(dòng)器。目前,根據不同的應用需求有兩種產(chǎn)品可供選擇——NXH800H120L7QDSGSNXH800H120L7QDSG。

       

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      隨著(zhù)可再生能源采用率不斷提高,對于高峰需求管理和持續供電保障等相關(guān)解決方案的需求也隨之日益增長(cháng)。要想維持電網(wǎng)穩定性和降低成本,就必須要削減電力需求高峰時(shí)段的用電量,即采取削峰填谷。利用 QDual3 模塊,制造商可以在相同系統尺寸下,設計出發(fā)電和蓄電能力更強的太陽(yáng)能逆變器和儲能系統,提高能源管理效率,增強儲存能力,從而更平穩地將太陽(yáng)能電力并網(wǎng)到電網(wǎng)中。此外,該模塊還支持將多余的電力儲存在儲能系統中,能夠有效緩解太陽(yáng)能發(fā)電的間歇性問(wèn)題,確保供電的可靠性和穩定性。對于大型系統應用,可以將這些模塊通過(guò)并聯(lián)來(lái)提升輸出功率,達到數兆瓦級別。與傳統的600A模塊解決方案相比,800A的QDual3模塊顯著(zhù)減少了所需模塊的數量,極大地簡(jiǎn)化了設計復雜度并降低了系統成本。

        

      QDual3 IGBT 模塊采用 800 A 半橋配置,集成了新的第 7 代溝槽場(chǎng)截止 IGBT 和二極管技術(shù),采用安森美的先進(jìn)封裝技術(shù),從而降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗。得益于 FS7 技術(shù),裸片尺寸縮小了 30%,每個(gè)模塊可以容納更多的裸片,從而提高了功率密度,最大電流容量達到 800 A 或更高。該 800 A QDual3 模塊的 IGBT Vce(sat) 低至 1.75V(175℃),Eoff較低,能量損耗比最接近的替代方案低 10%。此外,QDual3 模塊還滿(mǎn)足汽車(chē)應用所要求的嚴格標準。

       

      “隨著(zhù)卡車(chē)和巴士等商用車(chē)隊的電氣化程度提高,以及市場(chǎng)對可再生能源的需求增加,需要能夠更高效地發(fā)電、儲存及分配電力的解決方案。以盡可能低的功率損耗將可再生能源輸送到電網(wǎng)、儲能系統及下游負載正變得日益關(guān)鍵?!卑采离娫捶桨甘聵I(yè)群工業(yè)電源部副總裁Sravan Vanaparthy指出,“QDual3采用遵循行業(yè)標準的引腳排列,提供出色的能效,為電力電子設計師們提供了一種即插即用的解決方案,并即刻實(shí)現系統性能的提升?!?/p>


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