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產(chǎn)品頻道 富士電機株式會(huì )社（東京都品川區、代表取締役社長(cháng)：北澤通宏）推出業(yè)內最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產(chǎn)品。
1．上市目的
如今，人們對地球環(huán)境越來(lái)越關(guān)心，在不斷清潔化的IT領(lǐng)域及新能源等領(lǐng)域中，可實(shí)現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。
其中，MOSFET注1作為電力轉換過(guò)程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來(lái)越高。
此次，富士電機推出的Super J-MOS系列產(chǎn)品，采用具有新開(kāi)發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結構注2，可大幅度地降低損耗。
據此，可通過(guò)提高設備的電力變換效率減少耗電，為實(shí)現低碳社會(huì )作貢獻。
2．產(chǎn)品特點(diǎn)
? 降低通態(tài)電阻70％注3，達到業(yè)內最高水平的低損耗。
? 結合最新降低開(kāi)關(guān)損耗的技術(shù)，使元器件總損耗降低14％注4。
3．主要規格（代表機型）
4．主要用途
?服務(wù)器、不間斷電源、播放設備等信息通信設備；
?面向太陽(yáng)能電力調節器等新能源領(lǐng)域的電力變換裝置等。
5．詢(xún)問(wèn)處
富士電機株式會(huì )社 營(yíng)業(yè)本部 電力電子設備統括本部 第3統括部 營(yíng)業(yè)第1部
?03-5435-7256
注1 MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管。
注2 SJ結構：電荷非平衡Superjunction結構
其特點(diǎn)是，由于是使MOSFET的耐壓層的p區和n區交互存在的結構，可使n區的雜質(zhì)濃度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面狀結構的MOSFET，由于是通過(guò)向高阻抗的n層延展電絕緣區（過(guò)流層）來(lái)確保耐壓水平的，因此通態(tài)電阻無(wú)法降至一定值以下。
而SJ結構，是通過(guò)在n區形成p區，這既可以在縱向又可在橫向延展過(guò)流層，因此，即使n層阻抗下降，依然可以確保耐壓水平。據此，可實(shí)現超過(guò)以往面狀結構理論極限的低通態(tài)電阻。
注3、4 與本公司以往產(chǎn)品相比
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號