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      日本制成光電轉換率更高的非硅系太陽(yáng)能電池
      • 點(diǎn)擊數:542     發(fā)布時(shí)間:2008-07-20 19:16:35
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         日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所16日宣布,該研究所和一家企業(yè)合作開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù),可將使用銅銦鎵硒(CIGS)薄膜的非硅系、可彎曲太陽(yáng)能電池的光電轉換效率,由17.5%提高到17.7%。

        產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所16日發(fā)布的新聞公報說(shuō),采用銅、銦、鎵、硒制成的半導體材料——CIGS薄膜生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池具備不易老化,耐放射線(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí),這種太陽(yáng)能電池的光電轉換層的厚度可以做成僅幾微米,質(zhì)量小,原料消耗少。

        提高這種太陽(yáng)能電池的光電轉換效率有幾個(gè)必要的技術(shù)性問(wèn)題,其中之一就是向CIGS薄膜的光吸收層添加堿性物質(zhì),但是很多堿性化合物具有潮解性,物理性質(zhì)不穩定,處理比較困難。

        產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所此次開(kāi)發(fā)的新技術(shù)在太陽(yáng)能電池的內側電極層形成之前,先使穩定的化合物——硅酸鹽玻璃在基板上形成薄層,通過(guò)控制這一薄層形成的條件,來(lái)控制透過(guò)內側電極層到達其上方的光吸收層的堿性物質(zhì)數量。使用表面平滑的陶瓷為基板,再加上新技術(shù),該研究所成功使小面積可彎曲的這種太陽(yáng)能電池的光電轉換效率提高到17.7%。

        公報說(shuō),該研究所下一步的研究目標是將這種提高光電轉換效率的技術(shù),應用于相當于實(shí)用尺寸的太陽(yáng)能電池模塊中。

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