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      山東大學(xué)實(shí)現從SiC單晶到外延生長(cháng)和器件制備全部國產(chǎn)化
      • 點(diǎn)擊數:1167     發(fā)布時(shí)間:2007-05-15 12:37:42
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          近日,山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室在大直徑SiC單晶研究方面取得突破性進(jìn)展,實(shí)現了從SiC單晶到外延生長(cháng)和器件制備的全部國產(chǎn)化,這為國內微波大功率器件的研發(fā)奠定了基礎。
       
          晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室是1984年我國首批建設的國家重點(diǎn)實(shí)驗室之一。目前已發(fā)展成為我國一個(gè)由材料學(xué)、凝聚態(tài)物理兩個(gè)國家級重點(diǎn)學(xué)科和材料科學(xué)與工程、物理學(xué)、化學(xué)3個(gè)一級學(xué)科博士點(diǎn)支撐的高層次人才培養基地以及上、中、下游緊密銜接的科技成果輻射基地。

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