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2007年3月21日，在上海新國際展覽中心舉行的第六屆慕尼黑電子展上，賽米控再次給我們帶來(lái)了驚喜，推出了全新的SEMiSTART模塊，將使軟啟動(dòng)設備的體積縮小六倍。
去年11月在德國紐倫堡一款來(lái)自賽米控的新型反并聯(lián)可控硅模塊（W1C 開(kāi)關(guān)）SEMiSTART問(wèn)世。這款專(zhuān)為軟啟動(dòng)設備設計的反并聯(lián)非絕緣型可控硅模塊，其主要優(yōu)點(diǎn)在于緊湊的結構。該模塊被設計用于過(guò)載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級，尺寸最小的模塊可承受560A的過(guò)載電流，最大的則能夠承受最高3000A的過(guò)載電流長(cháng)達20秒（在啟動(dòng)階段），最大阻斷電壓為1400V 和1800V。
由于采用了壓接和雙面芯片冷卻技術(shù)，新模塊能夠承受電流高達3000A、時(shí)間長(cháng)達20秒的過(guò)載能力。與采用傳統的平板可控硅的設計不同，全新的SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術(shù)直接壓在兩個(gè)散熱器之間。通過(guò)使用優(yōu)化過(guò)的芯片冷卻技術(shù)，從而可以實(shí)現結構高度緊湊且穩健可靠的系統。此外，散熱器除用于散熱還作為電氣連接器。一個(gè)采用全新的SEMiSTART模塊的400KW軟啟動(dòng)器的尺寸只相當于采用傳統的平板可控硅裝置的六分之一。來(lái)自塞米控的產(chǎn)品工程師說(shuō)：“使用SEMiSTART模塊，軟啟動(dòng)器的結構可以更為緊湊，從而帶來(lái)更高的性?xún)r(jià)比?！?/FONT>
由于可控硅芯片被直接壓置在散熱器之間，所以這些模塊擁有更少的熱電阻Rth(j-s) ?？傮w上，新模塊的接觸層很少，這意味著(zhù)與傳統方案相比新模塊的熱阻更小，舉例來(lái)說(shuō)，這種新模塊的總熱阻只相當于傳統方案中平板可控硅和散熱器之間的熱接觸熱阻的一半多，這主要是由于新模塊中去掉了阻礙熱量從芯片向散熱器傳輸的電氣絕緣物質(zhì)。
SEMiSTART 模塊安裝便利，不需要諸如安裝平板可控硅所需的安裝夾具以及在半導體模塊中所需的導熱硅脂。
該系列新產(chǎn)品符合歐盟RoHS和WEEE指令的規定。
賽米控作一直為功率模塊市場(chǎng)的領(lǐng)導者，是用戶(hù)們心中的一個(gè)響亮的品牌、完美的標準。通過(guò)此次研討會(huì )的開(kāi)展，讓用戶(hù)更了解塞米控的發(fā)展潛力，其實(shí)力證明用戶(hù)的選擇是正確的！
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號