2月17日消息，據杭州日報報導，由昕原半導體(杭州)有限公司(以下稱(chēng)“昕原半導體”)主導建設的國內首條28/22nmReRAM（阻變存儲器）12英寸中試生產(chǎn)線(xiàn)順利完成了自主研發(fā)設備的裝機驗收工作，實(shí)現了中試線(xiàn)工藝流程的通線(xiàn)，并成功流片（試生產(chǎn)）。

目前，全球主流的新型存儲器技術(shù)主要有PCM(相變存儲器)、FeRAM(鐵電存儲器)、MRAM(磁性存儲器)及ReRAM(阻變存儲器)。相較于其他幾項新型存儲器技術(shù)而言，ReRAM的材料需求種類(lèi)和額外的光罩數量更少，可以實(shí)現更低的生產(chǎn)成本。同時(shí)，業(yè)界普遍認為ReRAM能夠充分滿(mǎn)足神經(jīng)形態(tài)計算和邊緣計算等應用對能耗、性能和存儲密度的要求，預期將在A(yíng)IoT、智能汽車(chē)、數據中心、AI計算(存算一體)等領(lǐng)域獲得廣泛的運用。

“我們從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量，非?？春肦eRAM存儲器的技術(shù)及商業(yè)發(fā)展前景，所以把它作為我們的研發(fā)重點(diǎn)！”昕原半導體相關(guān)負責人表示。

新型存儲器的核心，是在其開(kāi)發(fā)中需要在傳統CMOS工藝里增加一些特殊的材料或工藝，這些特殊材料或工藝的開(kāi)發(fā)則需要經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗及測試驗證。

傳統CMOS代工廠(chǎng)或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)度，而國內各大科研院所雖可在實(shí)驗室階段加快迭代速度，但沒(méi)有標準的12英寸量產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)驗成果往往很難走向量產(chǎn)。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12英寸中試生產(chǎn)線(xiàn)就解決了上述問(wèn)題。汲取了代工廠(chǎng)和實(shí)驗室的長(cháng)處，迭代速度快，產(chǎn)線(xiàn)靈活，擁有自主可控的知識產(chǎn)權，使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產(chǎn)線(xiàn)，我們產(chǎn)線(xiàn)的順利導通并完成產(chǎn)品的驗證和實(shí)現量產(chǎn)，將極大帶動(dòng)我國新型存儲行業(yè)發(fā)展?！标吭雽w相關(guān)負責人表示，“而在這一領(lǐng)域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實(shí)現“彎道超車(chē)”提供了可能?！?/p>

存儲芯片中除了NAND閃存及DRAM內存之外，還有多種技術(shù)選擇，ReRAM(非易失性阻變式存儲器)就是其中一種，其寫(xiě)入壽命可達100萬(wàn)次，此前主要是生產(chǎn)難度大，現在杭州昕原半導體主導建設了國內首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產(chǎn)線(xiàn)。

傳統CMOS代工廠(chǎng)或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)度，而國內各大科研院所雖可在實(shí)驗室階段加快迭代速度，但沒(méi)有標準的12寸量產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)驗成果往往很難走向量產(chǎn)。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12英寸中試生產(chǎn)線(xiàn)就解決了上述問(wèn)題。汲取了代工廠(chǎng)和實(shí)驗室的長(cháng)處，迭代速度快， 產(chǎn)線(xiàn)靈活，擁有自主可控的知識產(chǎn)權，使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產(chǎn)線(xiàn)，我們產(chǎn)線(xiàn)的順利導通并完成產(chǎn)品的驗證和實(shí)現量產(chǎn)，將極大帶動(dòng)我國新型存儲行業(yè)發(fā)展?！?/p>

昕原半導體相關(guān)負責人表示，“而在這一領(lǐng)域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實(shí)現‘彎道超車(chē)’提供了可能?！?/p>

來(lái)源：微電子制造