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      納米半導體摻雜鋁大大提高導電性
      • 點(diǎn)擊數:1184     發(fā)布時(shí)間:2013-05-20 16:20:00
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         來(lái)源:科技部

          納米電子學(xué)又前進(jìn)了一步。一個(gè)德國馬克斯普朗克學(xué)會(huì )微結構物理學(xué)研究所參與的國際研究團隊發(fā)現了一個(gè)可以用來(lái)制作具有非常強導電性硅納米線(xiàn)的效應:利用鋁作為催化劑生成這類(lèi)納米線(xiàn)??茖W(xué)家們發(fā)現,硅在這一過(guò)程中吸收的鋁,大大超過(guò)了他們的預期。摻雜的鋁含量高,改善了納米線(xiàn)的導電性。這一效應可用來(lái)制造其他高摻雜性的納米材料。

          科學(xué)家們發(fā)現,硅在這時(shí)候吸收的鋁甚至能超過(guò)熱力學(xué)定律允許的1萬(wàn)倍。根據熱力學(xué)定律,硅晶體通過(guò)摻雜被鋁原子取代的原子數連百萬(wàn)分之一都不到。但事實(shí)上,經(jīng)原子探針斷層掃描,該團隊的科學(xué)家發(fā)現,他們制作的摻雜鋁的硅納米線(xiàn)鋁含量高達約4%,而且鋁原子分布十分均勻。

         有關(guān)這一發(fā)現的論文發(fā)表于2013年4月4日的《Nature》。 

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