北京2012年6月5日電 /美通社亞洲/ －－ 在2012臺北國際電腦展上，LSI公司（紐約證交所股票代碼：LSI）宣布演示其備受贊譽(yù)的SandForce® SF-2000閃存存儲處理器（FSP），該產(chǎn)品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 閃存 －－ 目前SSD應用中所使用的最先進(jìn)閃存技術(shù)。這些前沿的技術(shù)將于本周舉行的2012年臺北國際電腦展上進(jìn)行互動(dòng)演示。

LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態(tài)硬盤(pán)（SSD）提供同類(lèi)最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現有的產(chǎn)品證明，LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場(chǎng)推出成本更低的SSD產(chǎn)品，還可以加速閃存存儲在云計算、企業(yè)和客戶(hù)端應用中的廣泛普及。到2015年SSD產(chǎn)品在客戶(hù)端和企業(yè)市場(chǎng)領(lǐng)域的出貨量將超過(guò)1億，與2011年相比出貨量增長(cháng)56%。(1)

SSD目標分析師Jim Handy 指出：“SSD用戶(hù)都希望從領(lǐng)先的閃存技術(shù)中獲得巨大的成本優(yōu)勢，但大部分SSD控制器都無(wú)法管理最先進(jìn)和成本最低的閃存芯片的復雜性。通過(guò)支持最小的NAND工藝，LSI將幫助OEM廠(chǎng)商和終端用戶(hù)在云計算、企業(yè)和客戶(hù)端等I/O密集型和基本數據存儲應用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器。”

隨著(zhù)閃存存儲器的尺寸不斷縮小，引入最先進(jìn)的錯誤校驗功能已成為當務(wù)之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質(zhì)比，這會(huì )降低閃存器件的可靠性、數據完整性和數據保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性，LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節扇區內可校正多達55位錯誤，也成為業(yè)界首款可同時(shí)支持企業(yè)和客戶(hù)端市場(chǎng)的處理器。LSI SandForce產(chǎn)品包括一個(gè)獨特的糾錯引擎，盡管當今和未來(lái)先進(jìn)NAND閃存技術(shù)對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高，但是該引擎憑借其獨特的設計完全可以應對這些挑戰。

LSI 閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理Michael Raam 指出：“與6家NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先制造商開(kāi)展合作，使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進(jìn)行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計算和財富1000企業(yè)中關(guān)鍵任務(wù)型計算環(huán)境所需的卓越可靠性，使用壽命和功效，并且隨著(zhù)用戶(hù)越來(lái)越認可這些屬性，我們期望繼續看到SSD技術(shù)被廣泛采用。”

為了滿(mǎn)足客戶(hù)對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求，LSI SandForce FSP 采用了DuraClass^® 高級NAND閃存管理技術(shù)。

DuraClass管理特性包括：

• DuraWrite™：優(yōu)化閃存的程序周期數量，有效地提高閃存耐用性。
• RAISE™（獨立芯片冗余陣列）：驅動(dòng)器可靠性得到大幅提高，可實(shí)現單驅動(dòng)解決方案、RAID式的保護及恢復功能。
• 高級耗損平衡和監視：最佳耗損平衡算法可進(jìn)一步增強閃存耐用性。
• 反復循環(huán)器：智能地執行“垃圾收集”操作，清除無(wú)效數據，使閃存耐用性影響最小化。