三菱電機最新開(kāi)發(fā)的新MPD系列IGBT模塊，在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相，大受業(yè)內人士歡迎。新MPD系列非常適合水冷散熱設計，是一款散熱性能好、可靠性強的大電流功率模塊。

三菱電機展位觀(guān)眾濟濟一堂

       新MPD系列IGBT模塊外型緊湊，采用新型無(wú)焊接AI基板，提供更高的溫度循環(huán)能力。針對大電流專(zhuān)用的內部結構采用專(zhuān)門(mén)的封裝，內部封裝電感低。采用低損耗的CSTBTTM硅片技術(shù)制成的第6代IGBT模塊，享有更寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性，并擁有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD適合于大電機驅動(dòng)、分散式電力發(fā)電（如風(fēng)力發(fā)電）及大功率UPS等場(chǎng)合。

 圖片說(shuō)明：新MPD 照片

       此外，新MPD系列IGBT模塊分1200V及1700V兩種額定電壓，其中CM2500DY-24S的額定電流高達2500A。其硅片最高結溫可達175C，硅片運行溫度最高可達150 °C。為了提高散熱效率，新MPD專(zhuān)為水冷散熱系統設計，從而提高產(chǎn)品的性能。其多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現更可靠的長(cháng)期電氣連接， 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接。

       三菱電機機電（上海）有限公司副總經(jīng)理兼半導體事業(yè)部部長(cháng)谷口豐聰先生說(shuō)：“由于市場(chǎng)對IGBT模塊的散熱功能十分重視，三菱電機推出的新MPD系列IGBT，非常適合水冷散熱，更能切合市場(chǎng)需求。”

       現在，半導體功率器件都是采用硅材料，業(yè)內人士認為硅材料的節能能力已經(jīng)接近極限。目前，人們把注意力放到開(kāi)發(fā)碳化硅材料。碳化硅由于有著(zhù)優(yōu)良的物理和電氣特性，可以期待在電力變換容量、低耗等方面大大超越硅材料。

       三菱電機在2010年在世界上首先開(kāi)發(fā)成功完全采用碳化硅、搭載驅動(dòng)電路和保護電路的全碳化硅IPM。和采用硅材料的IPM相比，電力消耗減少70%、器件體積減少50%。另外，在世界上首次將搭載碳化硅二極管的功率器件用于家用空調，并使之商品化。

       在這次展會(huì )中，三菱電機同時(shí)展出多個(gè)系列的產(chǎn)品，包括汽車(chē)用的J系EV-IPM和EV T-PM模塊； 工業(yè)和變頻家電用的DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊）等等，旨在向中國市場(chǎng)提供更低功耗、更低成本和更高穩定性的產(chǎn)品和技術(shù)。詳情瀏覽三菱電機中文網(wǎng)站：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com。

三菱電機機電（上海）有限公司簡(jiǎn)介
三菱電機創(chuàng )立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在最新的《財富》500強排名中，名列第203。
作為一家技術(shù)主導型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領(lǐng)先技術(shù)，并憑強大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據著(zhù)重要的地位。
三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開(kāi)創(chuàng )機電新紀元視為責無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng )造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì )繁榮。
三菱電機半導體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實(shí)現變頻、節能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數字通訊、有線(xiàn)/無(wú)線(xiàn)通訊等應用中提供解決方案。