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產(chǎn)品頻道加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出µModule (電源模塊) 穩壓器 LTM4632，用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個(gè)電壓軌供電：VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。 LTM4632 采用一個(gè)微型、輕量和超薄的 LGA 封裝 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)，其可焊接在 PCB 的背面，配合 采用一個(gè)電阻器和三個(gè)電容器時(shí)，占板面積僅為 0.5cm2 (雙面) 或 1cm2 (單面)。一個(gè) LTM4632 能提 供 3A VDDQ 和 ±3A VTT (=1/2*VDDQ)，所以?xún)蓚€(gè)并聯(lián)的 LTM4632 能夠為較大的存儲器組提供高達每電源軌 6A。對于 超過(guò) 6A 的 VDDQ，LTM4632 可配置為與 LTM4630 一起給大型 SRAM 陣列提供介于 18A 和 36A 之間的 VDDQ。 如果 VDDQ 已經(jīng)可用，則可配置 LTM4632 以提供一個(gè)高達 6A 的兩相單路 VTT 輸出。
LTM4632 可 采用一個(gè) 3.3V 的低輸入電源、以及標準的 5V 和 12V 輸入 (最高 15V) 工作 。兩個(gè)輸出電壓 (VDDQ 和 VTT) 的范圍均 為 0.6V 至 2.5V。第三個(gè)輸出是一個(gè)用于 SRAM 之 VTTR 的低噪聲 10mA 緩沖輸出。應用包括 PCIe、基于云的系統、 RAID、視頻處理和采用這些 SRAM 的網(wǎng)絡(luò )：DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR- II / QDR-II+ 和 QDR4。
LTM4632 包含一個(gè)三路輸 出 DC/DC 穩壓器、電壓除二電路、電源開(kāi)關(guān)、電感器和支持組件，采用了緊湊和超薄的封裝。LTM4632 的額定工作溫度范圍 為 -40°C 至 125°C。E 級版本的千片批購價(jià)為每片 7.35 美元，而 I 級版本的千片批購價(jià)則為每片 8.09 美元。如需更多信息， 請登錄 www.linear.com.cn/product/LTM4632。
用于 DDR-QDR4 存儲器電源的超薄µModule 穩壓器
性能概要：LTM4632
占板面積為 1cm2 (單面 PCB) 或 0.5cm2 (雙面 PCB) 的完整 DDR / QDR4 存儲器電源解決方案
3A VDDQ + 3A VTT 或兩相單路 6A VTT
寬輸入電壓范圍：3.6V (VIN 連接至 INTVCC) 至 15V
0.6V 至 2.5V 輸出電壓范圍
±1.5%、±10mA 緩沖 VTTR = VDDQ/2 輸出
外部頻率同步
超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝
本文給出的美國報價(jià)僅供預算之用。各地報價(jià)可能因當地關(guān)稅、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號