三菱電機的最新開(kāi)發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊,采用第6代CSTBTTM硅片技術(shù)和自動(dòng)壓接裝配技術(shù)。模塊的飽和壓降低,功率損耗低,且硅片結溫可高達175°C,硅片運行溫度最高可達150 °C。
Smart-1系列IGBT模塊主要應用于工業(yè)變頻電機驅動(dòng)和伺服驅動(dòng),已開(kāi)發(fā)出的模塊電路拓撲有兩種,一種是整流逆變制動(dòng)的CIB(Converter Inverter Brake),另一種是6合1模塊。其中,CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V,6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。
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摘自《自動(dòng)化博覽》2011年第七期