長(cháng)期以來(lái),全球IGBT技術(shù),尤其是6英寸以上大功率IGBT關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品,被日本三菱、東芝、瑞士ABB、德國英飛凌等少數大公司壟斷。但是這一技術(shù)壟斷將會(huì )被打破。近日,南車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司傳來(lái)消息,8英寸IGBT生產(chǎn)線(xiàn)項目年內就可建成投產(chǎn)。
2011年5月,“南車(chē)株洲所”8英寸IGBT生產(chǎn)線(xiàn)項目奠基建設,這是全國首條該尺寸IGBT生產(chǎn)線(xiàn)。建成投產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)12萬(wàn)片8英對lGBT芯片和100萬(wàn)只大功率新型半導體器件生產(chǎn)能力,年產(chǎn)值超20億元,成為我國規模最大的IGBT產(chǎn)業(yè)基地。
目前,項目廠(chǎng)房建設、基礎工程、工藝設備等方面,正在快速推進(jìn)。
IGBT是一種新型功率半導體器件,具有驅動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)損耗低、工作頻率高、電流密度大等優(yōu)點(diǎn),廣泛應用于軌道交通、航空航天、新能源電動(dòng)汽車(chē)、高壓變頻及電力傳輸等重要行業(yè)和領(lǐng)域。